Diodes Incorporated DMP2160UFDB-7

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

55.34 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.4W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.4W

接通延迟时间

11.51 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 2.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

536pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.5nC @ 4.5V

上升时间

12.09ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

12.09 ns

连续放电电流(ID)

3.8A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅