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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.679911
10
¥6.301806
100
¥5.945101
500
¥5.608582
1000
¥5.291117
Diodes Incorporated DMP4050SSD-13
- 收藏
- 对比
DMP4050SSD-13
671-DMP4050SSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET MOSFET,P-CHANNEL -40V, -4.1A,-5.2A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP4050SSD-13详情
Diodes Incorporated DMP4050SSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
31.5 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A
Number of Elements
2
已出版
2010
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.8W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMP4050SSD
引脚数量
8
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.14W
接通延迟时间
1.9 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
674pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.9nC @ 10V
上升时间
3.1ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
12.6 ns
连续放电电流(ID)
5.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
0.05Ohm
漏源击穿电压
-40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
宽度
4mm
高度
1.5mm
长度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP4050SSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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