EPC2106ENGRT
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EPC EPC2106ENGRT

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型号

EPC2106ENGRT

品牌

EPC

utmel 编号

791-EPC2106ENGRT

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

Die

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

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EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

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EPC2106ENGRT详情

EPC EPC2106ENGRT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • 供应商器件包装

    Die

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.7A

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    eGaN®

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70mOhm @ 2A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 600μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    75pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.73nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • 连续放电电流(ID)

    1.7A

  • 输入电容

    75pF

  • 场效应管特性

    GaNFET (Gallium Nitride)

  • 最大rds

    70 mΩ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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