注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
EPC2106ENGRT
品牌
EPC
utmel 编号
791-EPC2106ENGRT
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
Die
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
EPC2106ENGRT详情
技术参数
PDF文档
型号对比
EPC EPC2106ENGRT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
供应商器件包装
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.7A
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
eGaN®
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
70mOhm @ 2A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 600μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
75pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.73nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
100V
连续放电电流(ID)
输入电容
75pF
场效应管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
最大rds
70 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
技术文档: EPC EPC2106ENGRT.
右边的3个型号有着和EPC & EPC2106ENGRT相似的参数规格。
Surface Mount
1.7 A
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
2.1 A
1.6A
TO-261-4, TO-261AA
1.8 A
1.8A (Ta)
Diodes Incorporated
ON Semiconductor
2 A
查看更多
EPC2106ENGRT拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:EPC2221
封装:Die
品牌:EPC
¥25.448467
型号:EPC2111
¥29.637206
型号:EPC2102
¥79.325987
型号:EPC2100
¥73.518157
型号:EPC2100ENGRT
库存:0
型号:EPC2102ENGRT
购物车 (0件产品)