STMicroelectronics STGB14NC60KT4

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Turn Off Delay Time

116 ns

Test Conditions

390V, 7A, 10 Ω, 15V

Number of Elements

1

系列

PowerMESH™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

80W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

14A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGB14

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

80W

输入类型

Standard

接通延迟时间

22.5 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

8.5ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

25A

连续放电电流(ID)

25A

最大击穿电压

600V

接通时间

31.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 7A

关断时间-标准值（toff)

340 ns

闸门收费

34.4nC

Td（开/关）@25°C

22.5ns/116ns

开关能量

82μJ (on), 155μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅