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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥40.873941
10
¥38.560322
100
¥36.377662
500
¥34.318549
1000
¥32.37599
Infineon Technologies AUIRGSL30B60K
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- 对比
AUIRGSL30B60K
1211-AUIRGSL30B60K
晶体管 - IGBT - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
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IGBT 600V 78A 370W TO262
--最小包装量--
¥
总价: ¥
AUIRGSL30B60K详情
Infineon Technologies AUIRGSL30B60K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.35V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
370W
元素配置
Single
功率耗散
370W
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.35V
最大集电极电流
78A
接通时间
74 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.35V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
237 ns
IGBT类型
NPT
闸门收费
102nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
46ns/185ns
开关能量
350μJ (on), 825μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.5V
最大下降时间 (tf)
42ns
高度
11.3mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRGSL30B60K拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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