Infineon Technologies IRG4BC15UD-LPBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

质量

2.084002g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.02V

Turn Off Delay Time

160 ns

Test Conditions

480V, 7.8A, 75 Ω, 15V

Number of Elements

1

已出版

2001

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

49W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

14A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

功率耗散

49W

输入类型

Standard

接通延迟时间

17 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

20ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

14A

反向恢复时间

28 ns

接通时间

37 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 7.8A

关断时间-标准值（toff)

400 ns

闸门收费

23nC

集极脉冲电流（Icm）

42A

Td（开/关）@25°C

17ns/160ns

开关能量

240μJ (on), 260μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

高度

9.652mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅