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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.45794
10
¥1.375411
100
¥1.297565
500
¥1.224111
1000
¥1.154821
Infineon Technologies BC858BE6327HTSA1
- 收藏
- 对比
BC858BE6327HTSA1
1211-BC858BE6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC858BE6327HTSA1详情
Infineon Technologies BC858BE6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
频率
250MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC858
资历状况
不合格
配置
SINGLE
电压
30V
电流
100mA
功率耗散
330mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
650mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC858BE6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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