Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

5.1 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2002

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

250mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-350mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BSD223

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

3.8 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 390mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1.5μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

56pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.62nC @ 4.5V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

390mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

-20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.39A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

22 pF

高度

800μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅