BSO211PHXUMA1
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Infineon Technologies BSO211PHXUMA1

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型号

BSO211PHXUMA1

utmel 编号

1211-BSO211PHXUMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 8-Pin DSO T/R

起订量

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BSO211PHXUMA1
BSO211PHXUMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 8-Pin DSO T/R

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BSO211PHXUMA1详情

Infineon Technologies BSO211PHXUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    540.001716mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 最大功率耗散

    1.6W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BSO211

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    不合格

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.6W

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    67m Ω @ 4.6A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.2V @ 25μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1095pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10nC @ 4.5V

  • 上升时间

    13ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 连续放电电流(ID)

    4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 最大双电源电压

    -20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.067Ohm

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BSO211PHXUMA1相似的参数规格。

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BSO211PHXUMA1拓展信息

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IRF7380TRPBF
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