Infineon Technologies IGZ100N65H5XKSA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-4

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 8 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop™ 5

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

536W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

536W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

161A

接通时间

40 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

485 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

210nC

集极脉冲电流（Icm）

400A

Td（开/关）@25°C

30ns/421ns

开关能量

850μJ (on), 770μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅