Infineon Technologies IHW30N120R2

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Current-Collector (Ic) (Max)

60A

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 30A, 28 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop®

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

390W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

390W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

30A

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

900 ns

IGBT类型

NPT, Trench Field Stop

闸门收费

198nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

-/792ns

开关能量

3.1mJ

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.4V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅