Infineon Technologies IRF7507TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A 1.7A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

270mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

最大功率耗散

1.25W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

IRF7507PBF

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 1.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

260pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 4.5V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.4A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

700 mV

高度

860μm

长度

3mm

宽度

3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅