Infineon Technologies IRF7555TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

Micro8™

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

55mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1.25W

额定电流

-4.3A

基本部件号

IRF7555PBF

元素配置

Dual

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

10 ns

功率 - 最大

1.25W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1066pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 5V

上升时间

46ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

64 ns

连续放电电流(ID)

-4.3A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

输入电容

1.066nF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

55mOhm

最大rds

55 mΩ

高度

860μm

长度

3mm

宽度

3mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅