Infineon Technologies IRG4BC20SPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 10A, 50 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

540 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

60W

端子位置

SINGLE

额定电流

19A

元素配置

Dual

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

27 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

9.7ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6V

最大集电极电流

19A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

38 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.6V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

1540 ns

闸门收费

27nC

集极脉冲电流（Icm）

38A

Td（开/关）@25°C

27ns/540ns

开关能量

120μJ (on), 2.05mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

高度

8.77mm

长度

10.54mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅