Infineon Technologies IRG4BC30FDSTRRP

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

260.39037mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Test Conditions

480V, 17A, 23 Ω, 15V

Number of Elements

1

已出版

2004

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最大功率耗散

100W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

100W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

31A

反向恢复时间

42 ns

接通时间

69 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 17A

关断时间-标准值（toff)

620 ns

闸门收费

51nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

42ns/230ns

开关能量

630μJ (on), 1.39mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无