Infineon Technologies IRG4PH40UD2-EP

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.43V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 21A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

97 s

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

160W

额定电流

41A

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

46 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

26ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3.1V

最大集电极电流

41A

反向恢复时间

50 ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

46 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 21A

关断时间-标准值（toff)

600 ns

闸门收费

100nC

集极脉冲电流（Icm）

82A

Td（开/关）@25°C

22ns/100ns

开关能量

1.95mJ (on), 1.71mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅