Infineon Technologies IRG4PSH71KDPBF

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-274AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.97V

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 42A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

350W

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

额定电流

78A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

功率耗散

350W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

84ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3.9V

最大集电极电流

78A

反向恢复时间

107 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

152 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 42A

关断时间-标准值（toff)

660 ns

闸门收费

410nC

集极脉冲电流（Icm）

156A

Td（开/关）@25°C

67ns/230ns

开关能量

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

190ns

高度

20.8mm

长度

16.0782mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅