Infineon Technologies IRGPS60B120KDP

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-274AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 15A, 4.7 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

366 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

595W

额定电流

105A

元素配置

Single

功率耗散

595W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

72 ns

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

32ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

105A

反向恢复时间

180 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

104 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.75V @ 15V, 60A

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

105A

关断时间-标准值（toff)

411 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

340nC

集极脉冲电流（Icm）

240A

开关能量

3.21mJ (on), 4.78mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

58ns

高度

25.05mm

长度

16.1mm

宽度

5.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅