Infineon Technologies IRG7PH35UDPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 20A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

160 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

180W

元素配置

Single

功率耗散

180W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

30 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

105 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

400 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

85nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

30ns/160ns

开关能量

1.06mJ (on), 620μJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.31mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅