Infineon Technologies IRGB20B60PD1PBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

质量

6.000006g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05V

Current-Collector (Ic) (Max)

40A

Test Conditions

390V, 13A, 10Ohm, 15V

Turn Off Delay Time

115 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

215W

额定电流

40A

元素配置

Single

功率耗散

215W

输入类型

Standard

接通延迟时间

20 ns

功率 - 最大

215W

上升时间

5ns

集电极发射器电压(VCEO)

2.8V

最大集电极电流

40A

反向恢复时间

28 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 20A

IGBT类型

NPT

闸门收费

68nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

20ns/115ns

开关能量

95μJ (on), 100μJ (off)

高度

8.763mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅