Infineon Technologies IRGB4B60KPBF

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 4A, 100 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

63W

额定电流

12A

元素配置

Single

功率耗散

63W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

18ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

40 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 4A

关断时间-标准值（toff)

199 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

12nC

集极脉冲电流（Icm）

24A

Td（开/关）@25°C

22ns/100ns

开关能量

130μJ (on), 83μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

最大下降时间 (tf)

89ns

高度

15.24mm

长度

10.5156mm

宽度

4.699mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅