Infineon Technologies IRGR3B60KD2TRP

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 3A, 100 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最大功率耗散

52W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRGR3B60KD2PBF

JESD-30代码

R-PSSO-G2

上升时间-最大值

22ns

元素配置

Single

功率耗散

52W

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

7.8A

反向恢复时间

77 ns

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大击穿电压

600V

接通时间

35 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

211 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

13nC

集极脉冲电流（Icm）

15.6A

Td（开/关）@25°C

18ns/110ns

开关能量

62μJ (on), 39μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

最大下降时间 (tf)

105ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅