Infineon Technologies IRGSL6B60KDPBF

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 5A, 100 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

90W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

13A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

功率耗散

90W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

17ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

13A

反向恢复时间

70 ns

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

258 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

18.2nC

集极脉冲电流（Icm）

26A

Td（开/关）@25°C

25ns/215ns

开关能量

110μJ (on), 135μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

最大下降时间 (tf)

27ns

高度

9.652mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅