Infineon Technologies MMBTA92LT1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-300V

最大功率耗散

360mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBTA

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

元素配置

Single

功率 - 最大

360mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 30mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

300V

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅