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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.474146
10
¥0.447308
100
¥0.421988
500
¥0.398102
1000
¥0.375568
Infineon Technologies SMBTA42E6327HTSA1
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- 对比
SMBTA42E6327HTSA1
1211-SMBTA42E6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SMBTA42E6327HTSA1详情
Infineon Technologies SMBTA42E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
40
Number of Elements
1
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
已出版
2011
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
300V
最大功率耗散
360mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
500mA
频率
70MHz
基本部件号
MBTA42
元素配置
Single
功率耗散
360mW
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
10V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
宽度
1.3mm
长度
2.9mm
高度
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
SMBTA42E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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