Infineon Technologies SMBTA56E6327HTSA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Power Dissipation (Max)

330mW

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-80V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-500mA

频率

100MHz

基本部件号

MBTA56

配置

SINGLE

功率耗散

330mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅