IXTA8N65X2
IXTA8N65X2

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥28.950389

  • 10

    ¥27.311689

  • 100

    ¥25.765746

  • 500

    ¥24.307305

  • 1000

    ¥22.931416

IXYS IXTA8N65X2

  • 收藏
  • 对比

型号

IXTA8N65X2

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTA8N65X2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IXTA8N65X2
IXTA8N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263

单价: $

合计:

库存:281

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXTA8N65X2详情

IXYS IXTA8N65X2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    8A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    150W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    500m Ω @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    800pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    12nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    8A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: IXYS IXTA8N65X2.

右边的3个型号有着和IXYS & IXTA8N65X2相似的参数规格。

查看更多

IXTA8N65X2拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z