IXXH30N65B4
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IXYS IXXH30N65B4

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型号

IXXH30N65B4

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXH30N65B4

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT

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IXXH30N65B4
IXXH30N65B4 IXYS IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT

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IXXH30N65B4详情

IXYS IXXH30N65B4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    650V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.66V

  • Test Conditions

    400V, 30A, 15 Ω, 15V

  • Turn Off Delay Time

    170 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX4™, XPT™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    230W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    230W

  • 输入类型

    Standard

  • 接通延迟时间

    32 ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2V

  • 最大集电极电流

    65A

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2V @ 15V, 30A

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    52nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    146A

  • Td(开/关)@25°C

    32ns/170ns

  • 开关能量

    1.55mJ (on), 480μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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IXXH30N65B4拓展信息

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