Microchip APL602B2G

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

表面安装

NO

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Qualification

AEC-Q200

Maximum Operating Temperature

+ 105 C

Supply Voltage-Max

5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Supply Voltage-Min

1.8 V

Manufacturer

CTS

Brand

CTS电子元件

RoHS

Details

Package

Tube

Base Product Number

APL602

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

12V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

730W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APL602B2G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.17

Drain Current-Max (ID)

49 A

系列

CA70

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e1

端子表面处理

锡银铜

子类别

Oscillators

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

38.4 MHz

频率稳定性

30 PPM

引脚数量

3

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

负载电容

15 pF

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

125mOhm @ 24.5A, 12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9000 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

标准振荡器

最大漏极电流 (Abs) (ID)

49 A

漏极-源极导通最大电阻

0.125 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

196 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

输出格式

HCMOS

最大耗散功率(Abs)

730 W

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

产品类别

标准时钟振荡器

宽度

5 mm

高度

1.8 mm

长度

7 mm