Microchip APT10035JLL

安装类型

通孔

包装/外壳

Axial

供应商器件包装

ISOTOP®

介电材料

Polypropylene (PP), Metallized

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

2500V (2.5kV)

Voltage Rating AC

700V

Continuous Drain Current Id

25

Package

Tube

Base Product Number

APT10035

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

520W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1 kV

Typical Turn-On Delay Time

12 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

520 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

350 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

36 ns

Id - Continuous Drain Current

25 A

操作温度

-55°C ~ 85°C

系列

PPA

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.709 Dia x 1.142 L (18.00mm x 29.00mm)

容差

±10%

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

类型

功率MOSFET

应用

DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; Snubber

电容量

0.03µF

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

ESR（等效串联电阻）

20 mOhms

引线间距

--

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

520

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

350mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5185 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

186 nC @ 10 V

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

信道型

N

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

特征

--

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

座位高度(最大)

--

宽度

25.2 mm

高度

8.9 mm

长度

38 mm

评级结果

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