Microchip APT1003RSLLG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

表面安装

YES

供应商器件包装

D3 [S]

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

ABB

Continuous Drain Current Id

4

Package

Tube

Base Product Number

APT1003

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT1003RSLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.11

Drain Current-Max (ID)

4 A

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

纯哑光锡

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

139

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

694 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

425 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-