APT10050JVFR
APT10050JVFR

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Microchip APT10050JVFR

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型号

APT10050JVFR

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT10050JVFR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227

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APT10050JVFR
APT10050JVFR Microchip Trans MOSFET N-CH 1KV 19A 4-Pin SOT-227

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APT10050JVFR详情

Microchip APT10050JVFR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 引脚数

    4

  • 供应商器件包装

    ISOTOP®

  • Continuous Drain Current Id

    19

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    APT10050

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    19A (Tc)

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    微芯片技术

  • RoHS

    Details

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rating (DC)

    1 kV

  • Turn Off Delay Time

    59 ns

  • 系列

    POWER MOS V®

  • 包装

    Tube

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 子类别

    MOSFETs

  • 最大功率耗散

    450 W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 额定电流

    19 A

  • 功率耗散

    450 W

  • 接通延迟时间

    16 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    500mOhm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 2.5mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7900 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    500 nC @ 10 V

  • 上升时间

    13 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    1000 V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 连续放电电流(ID)

    19 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30 V

  • 输入电容

    7.9 nF

  • 信道型

    N

  • 场效应管特性

    -

  • 最大rds

    500 mΩ

  • 产品类别

    MOSFET

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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APT10050JVFR拓展信息

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VN2410L-G
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DN3135K1-G
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TP5335K1-G
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2N7000-G
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DN3525N8-G
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TN5325N8-G
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