Microchip APT100GT60B2RG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

ARN3-2220-11.11.11.00

Manufacturer

IDEC

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

148 A

Base Product Number

APT100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 100A, 4.3Ohm, 15V

Schedule B

8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

115 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

450 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.03

Part Package Code

TO-247

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Thunderbolt IGBT®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

500 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

500 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

148 A

JEDEC-95代码

TO-247

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

最大耗散功率(Abs)

500 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 100A

集电极电流-最大值(IC)

148 A

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

600 V

闸门收费

460 nC

集极脉冲电流（Icm）

300 A

Td（开/关）@25°C

40ns/320ns

开关能量

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5 V

辐射硬化

无