APT100MC120JCU2
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Microchip APT100MC120JCU2

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型号

APT100MC120JCU2

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT100MC120JCU2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 1200V 143A 4-Pin SOT-227

起订量

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APT100MC120JCU2
APT100MC120JCU2 Microchip Trans MOSFET N-CH 1200V 143A 4-Pin SOT-227

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APT100MC120JCU2详情

Microchip APT100MC120JCU2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 供应商器件包装

    SOT-227

  • Manufacturer Part Number

    IRKL91/06P

  • Manufacturer

    Vishay

  • Continuous Drain Current Id

    143

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    APT100

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    143A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    20V

  • 厂商

    微芯片技术

  • Power Dissipation (Max)

    600W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    8.49

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 技术

    SiCFET (Silicon Carbide)

  • Reach合规守则

    compliant

  • 功率耗散

    600

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    17mOhm @ 100A, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.3V @ 2mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5960 pF @ 1000 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    360 nC @ 20 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200 V

  • Vgs(最大值)

    +25V, -10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    25 A

  • 信道型

    N

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    600 W

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

APT100MC120JCU2拓展信息

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VN2410L-G
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TP5335K1-G
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2N7000-G
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TN5325N8-G
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