Microchip APT106N60B2C6

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT106N60B2C6

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

TMAX-3

Risk Rank

2.42

Drain Current-Max (ID)

106 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Continuous Drain Current Id

106

Package

Tube

Base Product Number

APT106

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

106A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

833W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

833

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35mOhm @ 53A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 3.4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8390 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

308 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.035 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

318 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

2200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-