Microchip APT13GP120BDQ1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

RoHS

Non-Compliant

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

41 A

Base Product Number

APT13GP120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

250 W

额定电流

41 A

元素配置

Single

功率耗散

250

输入类型

Standard

功率 - 最大

250 W

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

41 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 13A

连续集电极电流

41

IGBT类型

PT

闸门收费

55 nC

集极脉冲电流（Icm）

50 A

Td（开/关）@25°C

9ns/28ns

开关能量

115µJ (on), 165µJ (off)

辐射硬化

无

无铅

无铅