Microchip APT14M100S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

D3Pak

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Watertight

无

Manufacturer Part Number

7765

Approvals

UL

Manufacturer

Cooper

Package

Bulk

Base Product Number

APT14M100

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

500W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT, D3PAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

14 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

颜色

Metal

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

500 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

unknown

额定电流

50 Amps

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500 W

极数

3

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

880mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3965 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

14 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.88 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

55 A

输入电容

3.965 nF

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

875 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

880 mΩ

连接类型

Plug

相位

1