APT15GT120BRDQ1G详情
Microchip APT15GT120BRDQ1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247 [B]
Package
Box
厂商
Carlisle
Product Status
活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage
3
Current-Collector (Ic) (Max)
36 A
Base Product Number
APT15GT120
Test Conditions
800V, 15A, 5Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation
250 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
1.340411 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
36 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Continuous Collector Current Ic Max
36 A
Tradename
雷电IGBT
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
250
输入类型
Standard
功率 - 最大
250 W
工具类型
Rotary Brush
产品类别
IGBT晶体管
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.6V @ 15V, 15A
连续集电极电流
36
IGBT类型
NPT
闸门收费
105 nC
集极脉冲电流(Icm)
45 A
Td(开/关)@25°C
10ns/85ns
开关能量
585µJ (on), 260µJ (off)
产品类别
IGBT晶体管
宽度
16.26 mm
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
APT15GT120BRDQ1G拓展信息
Microchip Technology
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