Microchip APT26F120L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-264 [L]

质量

10.6 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

27

Package

Tube

Base Product Number

APT26F120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1135W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

170 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

1.135 kW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

300 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

480 mOhms

Id - Continuous Drain Current

27 A

Package Description

ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT26F120L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.41

Part Package Code

TO-264AA

Drain Current-Max (ID)

22 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.135 kW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

26 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.135

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9670 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300 nC @ 10 V

上升时间

31 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

27 A

JEDEC-95代码

TO-264AA

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

26 A

漏极-源极导通最大电阻

0.65 Ω

漏源击穿电压

1.2 kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

105 A

输入电容

9.67 nF

DS 击穿电压-最小值

1200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

2165 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1135 W

场效应管特性

-

漏源电阻

480 mΩ

最大rds

650 mΩ

宽度

20.5 mm

高度

5.21 mm

长度

26.49 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅