参数名
参数值
参数名
参数值
底架
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Continuous Drain Current Id
44
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
300 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
300 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V
Pd - Power Dissipation
329 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Unit Weight
0.211644 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Qg - Gate Charge
57 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
75 mOhms
Id - Continuous Drain Current
44 A
包装
Tube
零件状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
MOSFETs
技术
Si
额定电流
44 A
通道数量
1 Channel
功率耗散
329
接通延迟时间
13 ns
上升时间
3 ns
漏源电压 (Vdss)
300 V
产品类别
MOSFET
连续放电电流(ID)
44 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
输入电容
3.02 nF
信道型
N
产品类别
MOSFET
辐射硬化
无
无铅
无铅