Microchip APT30M85BVRG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

40

Package

Tube

Base Product Number

APT30M85

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

300 V

Typical Turn-On Delay Time

12 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

300 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

0.211644 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Qg - Gate Charge

130 nC

Tradename

功率 MOS V

Rds On - Drain-Source Resistance

85 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

43 ns

Id - Continuous Drain Current

40 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT30M85BVRG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.12

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

40 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS V®

包装

Tube

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4950 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

195 nC @ 10 V

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

300 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

JEDEC-95代码

TO-247AD

漏极-源极导通最大电阻

0.085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

300 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

16.26 mm

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm