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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥68.207439
10
¥64.346642
100
¥60.704376
500
¥57.268285
1000
¥54.026678
APT35GN120L2DQ2G详情
Microchip APT35GN120L2DQ2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
94 A
Base Product Number
APT35GN120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation
379 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.373904 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
94 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Continuous Collector Current Ic Max
94 A
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
系列
*
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tube
零件状态
活跃
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
功率耗散
379
输入类型
Standard
功率 - 最大
379 W
产品类别
IGBT晶体管
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 35A
连续集电极电流
94
IGBT类型
NPT, Trench Field Stop
闸门收费
220 nC
集极脉冲电流(Icm)
105 A
Td(开/关)@25°C
24ns/300ns
开关能量
2.315mJ (off)
产品类别
IGBT晶体管
宽度
20.5 mm
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
APT35GN120L2DQ2G拓展信息
Microchip Technology
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