Microchip APT38F50J

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Manufacturer

ABB

Package

Tube

Base Product Number

APT38F50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

355W (Tc)

Product Status

活跃

Pd - Power Dissipation

355 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

100 mOhms

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

38 A

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

类型

MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

355 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

355 W

接通延迟时间

38 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8800 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220 nC @ 10 V

上升时间

45 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

38 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

8.8 nF

场效应管特性

-

最大rds

100 mΩ

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无