Microchip APT40GP90B2DQ2G

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

101 A

Base Product Number

APT40GP90

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Package Description

ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

37 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

220 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT40GP90B2DQ2G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.18

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低导通损耗

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

543 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

900 V

最大耗散功率(Abs)

543 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 40A

集电极电流-最大值(IC)

101 A

IGBT类型

PT

集电极-发射器电压-最大值

900 V

闸门收费

145 nC

集极脉冲电流（Icm）

160 A

Td（开/关）@25°C

14ns/90ns

开关能量

795µJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V