APT40N60JCU3
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Microchip APT40N60JCU3

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型号

APT40N60JCU3

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT40N60JCU3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227

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APT40N60JCU3
APT40N60JCU3 Microchip Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227

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APT40N60JCU3详情

Microchip APT40N60JCU3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 供应商器件包装

    SOT-227

  • 质量

    7.71107 kg

  • Continuous Drain Current Id

    40

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    APT40N60

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    40A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    微芯片技术

  • Power Dissipation (Max)

    290W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    600 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    20 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    2.1 V

  • Pd - Power Dissipation

    290 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    20 V

  • Unit Weight

    1.058219 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Id - Continuous Drain Current

    40 A

  • Typical Turn-Off Delay Time

    115 ns

  • RoHS

    Details

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    70 mOhms

  • Tradename

    ISOTOP

  • Brand

    微芯片技术

  • Manufacturer

    Microchip

  • Mounting Styles

    螺钉安装

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 包装

    Tube

  • 颜色

    Silver

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 功率耗散

    290

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70mOhm @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.9V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7015 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    259 nC @ 10 V

  • 上升时间

    30 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 信道型

    N

  • 场效应管特性

    -

  • 产品

    功率MOSFET模块

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 宽度

    25.4 mm

  • 高度

    9.6 mm

  • 长度

    38.2 mm

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