Microchip APT43GA90B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

78 A

Base Product Number

APT43GA90

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

337 W

技术

Si

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

337 W

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

900 V

最大集电极电流

78 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

900 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 25A

IGBT类型

PT

闸门收费

116 nC

集极脉冲电流（Icm）

129 A

Td（开/关）@25°C

12ns/82ns

开关能量

875µJ (on), 425µJ (off)

产品类别

IGBT晶体管

辐射硬化

无