Microchip APT44GA60B

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

78 A

Base Product Number

APT44GA60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Schedule B

8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

29 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

208 ns

Part Package Code

TO-247

Risk Rank

5.65

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

APT44GA60B

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低导通损耗

电容量

330 uF

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

337 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

纹波电流

710 mA

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

337 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

78 A

JEDEC-95代码

TO-247

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

最大耗散功率(Abs)

337 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 26A

集电极电流-最大值(IC)

78 A

IGBT类型

PT

集电极-发射器电压-最大值

600 V

闸门收费

128 nC

集极脉冲电流（Icm）

130 A

Td（开/关）@25°C

16ns/84ns

开关能量

409µJ (on), 258µJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

产品宽度

10 x 20

辐射硬化

无