Microchip APT5010JVRU2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

触点形状

Square

供应商器件包装

SOT-227

质量

30.000004 g

Voltage, Rating

--

Mated Stacking Heights

--

Contact Materials

磷青铜

Contact Finish Mating

Tin-Lead

Insulation Materials

Thermoplastic

Contact Length-Mating

0.230 (5.84mm)

Continuous Drain Current Id

44

Package

Bulk

Base Product Number

APT5010

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

450W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

54 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Typical Turn-On Delay Time

18 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

450 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Tradename

ISOTOP

Rds On - Drain-Source Resistance

100 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

54 ns

Id - Continuous Drain Current

44 A

操作温度

-65°C ~ 105°C

系列

AMPMODU Mod II

包装

Bulk

零件状态

活跃

终端

Solder

连接器类型

Header, Breakaway

定位的数量

36

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

--

行数

2

紧固类型

Push-Pull

子类别

Discrete Semiconductor Modules

触点类型

公母针

最大功率耗散

450 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

入口保护

--

绝缘高度

0.090 (2.29mm)

样式

板对板或电缆

已加载定位数量

All

额定电流

3A

间距 - 配套

0.100 (2.54mm)

绝缘颜色

Black

行间距-交配

0.100 (2.54mm)

触点长度 - 柱子

0.090 (2.29mm)

护罩,护罩

Unshrouded

触点表面处理 - 柱子

Tin-Lead

接触总长度

0.410 (10.41mm)

配置

Single

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

450

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7410 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

312 nC @ 10 V

上升时间

16 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

44 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏源击穿电压

500 V

输入电容

7.41 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

100 mΩ

最大rds

100 mΩ

产品

功率MOSFET模块

特征

--

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

触点表面处理厚度 - 配套

100.0µin (2.54µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

100.0µin (2.54µm)

材料可燃性等级

UL94 V-0

辐射硬化

无

无铅

无铅