Microchip APT5010LFLLG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

表面安装

NO

触点形状

Square

供应商器件包装

TO-264 [L]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

-

Package

Bulk

Base Product Number

146261

Mated Stacking Heights

-

厂商

TE Connectivity AMP 连接器

Product Status

活跃

Contact Materials

Copper Alloy

Contact Finish Mating

Gold

Insulation Materials

Liquid Crystal Polymer (LCP)

Contact Length-Mating

0.230 (5.84mm)

Continuous Drain Current Id

46

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

46A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

520W (Tc)

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT5010LFLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.27

Part Package Code

TO-264AA

Drain Current-Max (ID)

46 A

操作温度

-65°C ~ 105°C

系列

AMPMODU Mod II

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Header, Breakaway

定位的数量

60

端子表面处理

锡银铜

应用

-

行数

2

紧固类型

Push-Pull

子类别

Discrete Semiconductor Modules

触点类型

公母针

额定电流

3A

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

-

绝缘高度

0.090 (2.29mm)

样式

板对板或电缆

已加载定位数量

All

Reach合规守则

compliant

间距 - 配套

0.100 (2.54mm)

绝缘颜色

Black

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

行间距-交配

0.100 (2.54mm)

触点长度 - 柱子

0.090 (2.29mm)

护罩,护罩

Unshrouded

触点表面处理 - 柱子

Tin

接触总长度

0.410 (10.41mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

520

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4360 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

JEDEC-95代码

TO-264AA

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

184 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

特征

-

触点表面处理厚度 - 配套

30.0µin (0.76µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

100.0µin (2.54µm)

材料可燃性等级

UL94 V-0