参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 1 week ago)
底架
Panel
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247 [B]
Contact Materials
Bronze
RoHS
Compliant
Continuous Drain Current Id
30
Package
Tube
Base Product Number
APT5017
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A (Tc)
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Pd - Power Dissipation
370 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Unit Weight
0.211644 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Qg - Gate Charge
300 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
170 mOhms
Id - Continuous Drain Current
30 A
包装
Bulk
系列
POWER MOS V®
终端
Crimp
连接器类型
Receptacle, Socket
定位的数量
22
最高工作温度
105 °C
最小工作温度
-55 °C
颜色
Black
行数
22
子类别
MOSFETs
螺距
3.9624 mm
技术
MOSFET (Metal Oxide)
方向
Straight
额定电流
5 A
接头数量
44
房屋颜色
Black, Blue
工作电源电压
250 V
配置
Single
通道数量
1 Channel
弱电
Compliant
功率耗散
370
触点额定电流
5 A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
170mOhm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5280 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
300 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
500 V
产品类别
MOSFET
信道型
N
预载
无
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
高度
8.89 mm
长度
108.7374 mm
磁卡厚度
1.778 mm
PCB厚度
1.778 mm
辐射硬化
无
无铅
不适用